Intel presenta oficialmente su mejor proceso litográfico hasta la fecha, Intel 18A: transistores a 1,8 nm con PowerVia, RibbonFET y condensadores HD MIM
Una vez más y sin levantar revuelo alguno, Intel ha presentado algo que, curiosamente, debería ser puesto en primera plana con su nota de prensa correspondiente, y que, sin embargo, ha pasado desapercibido este fin de semana. Los azules presentan Intel 18A de manera oficial, el nodo al que la compañía ha apostado todo y La entrada Intel presenta oficialmente su mejor proceso litográfico hasta la fecha, Intel 18A: transistores a 1,8 nm con PowerVia, RibbonFET y condensadores HD MIM aparece primero en El Chapuzas Informático.

Una vez más y sin levantar revuelo alguno, Intel ha presentado algo que, curiosamente, debería ser puesto en primera plana con su nota de prensa correspondiente, y que, sin embargo, ha pasado desapercibido este fin de semana. Los azules presentan Intel 18A de manera oficial, el nodo al que la compañía ha apostado todo y que, según vimos hace menos de una semana, parece estar por delante por primera vez en una década de TSMC.
Llegó el momento, ya es oficial, Intel ha mostrado su mayor innovación en procesos litográficos en 10 años tras todos los problemas que ha ido arrastrando debido a malas decisiones empresariales. Realmente no hay casi nada nuevo que no hayamos desgranado o que la propia compañía haya mostrado antes, salvo un par de detalles. Lo más interesante, curiosamente, no es la presentación, es la respuesta que va a tener TSMC para el mercado.
Intel presenta su nodo Intel 18A, el más avanzado del planeta para este 2025
El último avance en tecnología de Intel Foundry, así se presenta este nodo tan esperado por todos y que tiene en vilo a más de uno. La compañía, tras años presentando sus innovaciones poco a poco, ha dejado un listado a modo resumen desde el cual ellos afirman que estos son los factores diferenciadores de Intel 18A:
- Hasta un 15% más de rendimiento por vatio y una densidad de chip un 30% mejor en comparación con el nodo de proceso Intel 3.
- El primer nodo avanzado sub-2 nm disponible fabricado en América del Norte, que ofrece una alternativa de suministro resistente para los clientes.
- La primera tecnología de suministro de energía en la parte posterior (BSDPN) PowerVia de la industria, que mejora la densidad y la utilización de las celdas entre un 5 y un 10 por ciento y reduce la caída de la entrega de energía resistiva, lo que da como resultado una mejora del rendimiento de energía ISO de hasta un 4 por ciento y una caída de resistencia inherente (IR) muy reducida en comparación con los diseños de energía en la parte frontal.
- Tecnología de transistores de puerta envolvente (GAA) RibbonFET, que permite un control preciso de la corriente eléctrica. RibbonFET permite una mayor miniaturización de los componentes del chip, al tiempo que reduce las fugas de potencia, una preocupación fundamental para los chips cada vez más densos.
- Los condensadores HD MIM reducen significativamente la caída de potencia inductiva y mejoran el funcionamiento estable del chip. Esta capacidad es crucial para las cargas de trabajo modernas, como la IA generativa, que requiere una potencia computacional repentina e intensa.
- Soporte completo para herramientas EDA y flujos de referencia estándar de la industria, lo que permite una transición sin problemas desde otros nodos tecnológicos. Gracias a que los socios de EDA proporcionan flujos de referencia, nuestros clientes pueden comenzar a diseñar con PowerVia antes que con otras soluciones de energía secundarias.
- Un sólido conjunto de más de 35 socios de ecosistema líderes en la industria, que abarcan EDA, IP, servicios de diseño, servicios en la nube y aeroespacial y defensa, lo que ayuda a garantizar una amplia habilitación del cliente para facilitar aún más la adopción.
TSMC apunta a una cantidad increíble de obleas para su nuevo N2
Mientras tanto, lo que primero fue un rumor ha terminado por confirmarse por un importante actor de la industria como es el Dr. Kim. El rumor decía que se esperaba una producción mensual de TSMC para sus 2 nm sobre las 50.000 obleas para finales de año, donde los de Taiwán podrían incluso llegar a las 80.000 al mes.
El rumor partía desde la isla y el Dr.Kim lo confirma y va más allá. Y es que dice que TSMC está ampliando la producción a niveles más altos, en concreto, apuntando a más de 100.000 obleas al mes. Lo que no ha dicho es si esto implica los planes para FAB fuera de la isla, como la de Arizona de cara a 2026.
Lo que tampoco sabemos son las tasas de éxito, ni para Intel 18A ni para TSMC N2, pero dado que ambas compañías están acelerando a un gran nivel, es de esperar que estén por encima del 70% sin demasiados problemas en el momento de los lanzamientos de los primeros chips con ambos nodos, al menos, si nos atenemos a rumores anteriores. Sin duda, esto va a revitalizar por completo el hardware en todos los sectores, donde 2026 promete ser, por fin, disruptor, tras años estancados con los 3 nm para ambas empresas.
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