hi-tech.mail.ru

В России получили материалы для создания памяти будущего

Отечественные разработки способны обойти флеш-память по числу циклов перезаписи, емкости и скорости обработки данных. Рассказываем о достижении новосибирских ученых. Специалисты Новосибирского государственного университета разработали инновационные полупроводниковые материалы, обладающие потенциалом для создания новых видов запоминающих устройств. Отечественные разработки обещают значительно превзойти современные флеш-накопители по таким параметрам, как количество циклов записи, объем хранения данных и скорость работы, пишет ТАСС. Флеш-память представляет собой устройство, сохраняющее данные даже после отключения питания и позволяющее производить запись и удаление информации. Однако, как отметил научный сотрудник НГУ Иван Юшков, современные технологии производства флеш-памяти достигли своего максимума — пределов числа циклов перезаписи. Преодолеть этот барьер поможет новая разновидность памяти, которую называют мемристором. Мемристор — специальный вид резистора, способный сохранять воздействие, оказанное на него ранее, и благодаря этому удерживать информацию. Мемристоры позволяют значительно увеличить число циклов перезаписи по сравнению с флеш-памятью. Время одного цикла у мемристоров составляет десятки наносекунд или пикосекунд, что делает их в тысячи и миллионы раз быстрее флеш-памяти. Сообщается, что российские ученые стали первыми в мире, кто обнаружил в материалах из германо-силикатного стекла мемристорный эффект, который иначе называют «эффектом памяти». Помимо этого, они провели исследование оптико-электрических свойств этих материалов и теперь занимаются изучением процессов, возникающих при прохождении через них электрического тока.

Мар 18, 2025 - 14:19

В России получили материалы для создания памяти будущего

Отечественные разработки способны обойти флеш-память по числу циклов перезаписи, емкости и скорости обработки данных. Рассказываем о достижении новосибирских ученых.

Специалисты Новосибирского государственного университета разработали инновационные полупроводниковые материалы, обладающие потенциалом для создания новых видов запоминающих устройств. Отечественные разработки обещают значительно превзойти современные флеш-накопители по таким параметрам, как количество циклов записи, объем хранения данных и скорость работы, пишет ТАСС.

Флеш-память представляет собой устройство, сохраняющее данные даже после отключения питания и позволяющее производить запись и удаление информации. Однако, как отметил научный сотрудник НГУ Иван Юшков, современные технологии производства флеш-памяти достигли своего максимума — пределов числа циклов перезаписи. Преодолеть этот барьер поможет новая разновидность памяти, которую называют мемристором.

Мемристор — специальный вид резистора, способный сохранять воздействие, оказанное на него ранее, и благодаря этому удерживать информацию. Мемристоры позволяют значительно увеличить число циклов перезаписи по сравнению с флеш-памятью. Время одного цикла у мемристоров составляет десятки наносекунд или пикосекунд, что делает их в тысячи и миллионы раз быстрее флеш-памяти.

Сообщается, что российские ученые стали первыми в мире, кто обнаружил в материалах из германо-силикатного стекла мемристорный эффект, который иначе называют «эффектом памяти». Помимо этого, они провели исследование оптико-электрических свойств этих материалов и теперь занимаются изучением процессов, возникающих при прохождении через них электрического тока.