Micron 1-gamma, el proceso litográfico para DRAM con EUV que logra hasta 9.200 MT/s (+15% de velocidad con -20% de consumo)

Hemos estado cargados de novedades de hardware últimamente, pues hace unos meses tuvimos el lanzamiento de los procesadores de Intel y de AMD y más recientemente hemos visto las nuevas gráficas de Intel y NVIDIA. La siguiente semana se espera que salga la RTX 5070 para competir contra las GPU de AMD, pero mientras esperamos por esto, toca hablar de otras novedades en el mundo del hardware. Resulta que ahora Micron ha anunciado su nuevo nodo de memoria 1γ (1-gamma) de nueva generación, con la cual podrán alcanzar velocidades de hasta 9.200 MT/s a la vez que es más eficiente que la generación pasada.

Aunque lo que más les importa a los usuarios de PC son las tarjetas gráficas y los procesadores, no todo se limita a esto. Hay que tener en cuenta que hay otros componentes que son necesarios como las placas base, que permiten que todo funcione y como no, las fuentes de alimentación, más teniendo en cuenta el consumo cada vez mayor que tenemos en GPU y CPU. Además de esto, no podemos olvidarnos de los discos SSD y las mejoras realizadas en la memoria DRAM y los módulos RAM para PC y portátiles.

Micron consigue alcanzar hasta 9.200 MHz con las nuevas memorias DDR5 con nodo 1-gamma

Micron es una de las compañías más conocidas en el sector de la memoria y en la actualidad está en tercer lugar con una cuota de mercado de algo más del 22%. Por encima de esta se encuentra SK Hynix con un 34% y Samsung se lleva el primer puesto con un 41%, dejando poco margen a los demás. El año pasado, Micron anunció la nueva memoria LPCAMM2 LPDDR5X para portátiles que era un 71% más rápida con un 30% de ahorro de energía. Antes de esto, en 2023, tuvimos el anuncio de la memoria 1β (1-beta), un nodo que permitiría un +33% mayor rendimiento/vatio y la RAM alcanzaría hasta 8.000 MT/s con un 13% menos de consumo.

Podemos ver como esta fue un salto significativo si lo comparamos contra el proceso 1α (1-alpha) pasado, que permitió a la RAM DDR5 alcanzar los 6.400 MT/s. Ahora Micron ha anunciado su nuevo nodo de memoria creado con EUV de última generación (10 nm) bajo el nombre de 1γ (1-gamma), donde podemos ver que llegará hasta 9.200 MT/s con una reducción del consumo superior a un 20% y una densidad mayor del 30% comparado con el proceso previo.

Micron ha diseñado esta nueva memoria DRAM de alta velocidad para satisfacer la creciente demanda de la IA

Este nuevo nodo de Micron 1-gamma se utilizará primero en la memoria DRAM DDR5 de 16 GB y posteriormente se ampliará al resto de módulos de memoria para así poder traer las mejoras a todos sus productos. Este nuevo proceso para conseguir una memoria más rápida llega para poder satisfacer la enorme demanda de DRAM de alta capacidad y velocidad para centros de datos e IA. Ya hemos visto que la inteligencia artificial se beneficia en gran medida de la memoria que tenemos, por lo que Micron ha optado por llevar la velocidad y eficiencia al siguiente nivel. Este es el primer nodo EUV de memoria DRAM de Micron y podemos ver la comparativa entre el anterior proceso y el 1-gamma, donde no tenemos una lente, sino un espejo con el retículo.

Con este nuevo nodo 1-gamma, Micron asegura que vuelven a ser líderes en tecnología de memoria más avanzada del mundo con un gran rendimiento y una eficiencia energética sin rival. La compañía quiere actualizar las memorias de los centros de datos, Edge AI, automóviles, módulos de PC y SODIMM para portátiles con gamma, logrando así mejoras de eficiencia del 20% y un rendimiento un 15% superior.

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