China cria memória não volátil 10 mil vezes mais rápida…
Investigadores da Universidade Fudan, em Xangai, desenvolveram uma nova tecnologia na área da memória volátil, designada de PoX (Phase-change Oxide), que promete ser até 10.000 vezes mais rápida do que as memórias flash tradicionais....

Investigadores da Universidade Fudan, em Xangai, desenvolveram uma nova tecnologia na área da memória volátil, designada de PoX (Phase-change Oxide), que promete ser até 10.000 vezes mais rápida do que as memórias flash tradicionais....