Cientistas chineses criam memória PoX ultra-rápida

Investigadores chineses criaram um novo tipo de memória não volátil de alta-velocidade. Aquilo que habitualmente designamos por "memória" num computador, na realidade pode referir-se a uma diversa variedade de tipos de memória. Actualmente, os estilos mais comuns são a memória DRAM (a que normalmente se associa à memória expansível de um computador, como os módulos DIMM ou SO-DIMM), que têm o inconveniente de perderem o seu estado em caso de falta de energia; e a memória NAND flash utilizada nos SSDs, que é mais lenta mais mantém o conteúdo sem necessidade de energia. Mas, existem memórias como as SRAM, que dispensam a necessidade de serem "refrescadas" continuamente, e oferecem velocidades imensamente superiores - e agora, investigadores chineses dizem ter conseguido combinar as vantagens de todas elas numa só. Investigadores da universidade de Fudan criaram um novo tipo de memória não volátil, chamada PoX, que promete ter a velocidade de escrita idêntica à das mais rápidas memórias SRAM. Ou seja, enquanto a maioria das memórias NAND flash tem ciclos de escrita que podem chegar aos milissegundos, esta nova memória suporta escritas em apenas 0.4 nano-segundos. A sua velocidade, a par do consumo de energia reduzida, certamente assegurará que não faltem interessados. Mas, ainda falta esclarecer alguns pontos como a densidade de memória (saber se será viável criar chips com "gigabytes" em área reduzida) e longevidade (tanto em termo de ciclos de escrita como de retenção dos dados). Mas, numa perspectiva mais optimista, isto poderia significa o fim da separação entre memória DRAM e NAND flash, possibilitando computadores e smartphones que poderiam entrar em modo de poupança de energia milhões de vezes por segundo, pois poderiam retomar a operação de forma instantânea a partir de qualquer momento em que estivessem.

Abr 21, 2025 - 20:09

Cientistas chineses criam memória PoX ultra-rápida

Investigadores chineses criaram um novo tipo de memória não volátil de alta-velocidade.

Aquilo que habitualmente designamos por "memória" num computador, na realidade pode referir-se a uma diversa variedade de tipos de memória. Actualmente, os estilos mais comuns são a memória DRAM (a que normalmente se associa à memória expansível de um computador, como os módulos DIMM ou SO-DIMM), que têm o inconveniente de perderem o seu estado em caso de falta de energia; e a memória NAND flash utilizada nos SSDs, que é mais lenta mais mantém o conteúdo sem necessidade de energia. Mas, existem memórias como as SRAM, que dispensam a necessidade de serem "refrescadas" continuamente, e oferecem velocidades imensamente superiores - e agora, investigadores chineses dizem ter conseguido combinar as vantagens de todas elas numa só.

Investigadores da universidade de Fudan criaram um novo tipo de memória não volátil, chamada PoX, que promete ter a velocidade de escrita idêntica à das mais rápidas memórias SRAM. Ou seja, enquanto a maioria das memórias NAND flash tem ciclos de escrita que podem chegar aos milissegundos, esta nova memória suporta escritas em apenas 0.4 nano-segundos.

A sua velocidade, a par do consumo de energia reduzida, certamente assegurará que não faltem interessados. Mas, ainda falta esclarecer alguns pontos como a densidade de memória (saber se será viável criar chips com "gigabytes" em área reduzida) e longevidade (tanto em termo de ciclos de escrita como de retenção dos dados). Mas, numa perspectiva mais optimista, isto poderia significa o fim da separação entre memória DRAM e NAND flash, possibilitando computadores e smartphones que poderiam entrar em modo de poupança de energia milhões de vezes por segundo, pois poderiam retomar a operação de forma instantânea a partir de qualquer momento em que estivessem.

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