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DRAM+ feita na Alemanha combina velocidade da RAM com Flash
A Neumonda aposta na produção de chips de memória RAM não volátil, chamada de DRAM+. A Ferroelectric Memory Co. (FMC) aliou-se à Neumonda para relançar a produção de memória na Alemanha com tecnologia de última geração. Em vez de apostar na DRAM tradicional, as duas empresas vão concentrar-se numa memória não volátil chamada FeRAM, baseada em óxido de háfnio ferroelectric (HfO₂). Esta nova memória, também conhecida como DRAM+, mantém os dados mesmo sem energia e destina-se a aplicações como inteligência artificial, automóvel, industrial e médica. Ao contrário das FeRAMs mais antigas, com capacidades mais limitadas e que não permitiam criar chips de grande capacidade, a tecnologia da FMC permite densidades muito superiores, potencialmente aproximando-se dos gigabytes dos chips NAND Flash. O segredo está no HfO₂, que é compatível com os processos de fabrico CMOS, tornando a produção mais eficiente, com melhor desempenho, e menor consumo de energia. Embora seja de esperar que este tipo de memória seja mais caro que os chips DRAM e NAND Flash, certamente não terá dificuldade em encontrar interessados. Eventualmente, poderá ser adoptada como forma de permitir que computadores e smartphones tenham esta secção de RAM especial destinada ao sistema operativo; que assim ficaria imune a falhas de energia ou de bateria. Permitiria também entrar em modos de poupança de energia mais agressivos, sem necessidade de manter a RAM em "standby" ou de a escrever repetidamente para a memória Flash com os seus ciclos de escrita limitados.
A Ferroelectric Memory Co. (FMC) aliou-se à Neumonda para relançar a produção de memória na Alemanha com tecnologia de última geração. Em vez de apostar na DRAM tradicional, as duas empresas vão concentrar-se numa memória não volátil chamada FeRAM, baseada em óxido de háfnio ferroelectric (HfO₂). Esta nova memória, também conhecida como DRAM+, mantém os dados mesmo sem energia e destina-se a aplicações como inteligência artificial, automóvel, industrial e médica.
Ao contrário das FeRAMs mais antigas, com capacidades mais limitadas e que não permitiam criar chips de grande capacidade, a tecnologia da FMC permite densidades muito superiores, potencialmente aproximando-se dos gigabytes dos chips NAND Flash. O segredo está no HfO₂, que é compatível com os processos de fabrico CMOS, tornando a produção mais eficiente, com melhor desempenho, e menor consumo de energia.
Embora seja de esperar que este tipo de memória seja mais caro que os chips DRAM e NAND Flash, certamente não terá dificuldade em encontrar interessados. Eventualmente, poderá ser adoptada como forma de permitir que computadores e smartphones tenham esta secção de RAM especial destinada ao sistema operativo; que assim ficaria imune a falhas de energia ou de bateria. Permitiria também entrar em modos de poupança de energia mais agressivos, sem necessidade de manter a RAM em "standby" ou de a escrever repetidamente para a memória Flash com os seus ciclos de escrita limitados.
