hi-tech.mail.ru

В России создали первый отечественный 350-нм фотолитограф

Его собрали совместно с белорусскими специалистами. Установка отличается от зарубежных аналогов уникальными технологическими решениям и у нее уже есть покупатель. Мэр Москвы Сергей Собянин в своем официальном Telegram-канале сообщил, что в России создан первый полностью отечественный фотолитограф. Его разрешающая способность составляет 350 нм. Разработала оборудование для производства чипов российская компания-резидент ОЭЗ «Технополис Москва». Как отметил Сергей Собянин, это первый и очень важный шаг на пути к производству собственной микроэлектроники, к полной технологической независимости государства. Отмечается, что фотолитограф был создан вместе в сотрудничестве с белорусским заводом, за плечами которого имеется огромный опыт в данной сфере. Кроме того, в сообщении мэра Москвы говорится, что отечественная установка кардинально отличается от зарубежных аналогов. Например, для излучения используется не ртутная лампа, а твердотельный лазер. Он мощнее и энергоэффективнее, обладает более высокой долговечностью и у него более подходящий — узкий спектр светового излучения. Немаловажным является и тот факт, что у фотолитографа уже имеется заказчик. На данный момент ведется адаптация техпроцессов в соответствии с производственными особенностями покупателя. Также отмечается, что на этом специалисты ОЭЗ «Технополис Москва» не намерены останавливаться. Следующая цель — освоение 130 нм к 2026 году.

Мар 24, 2025 - 13:15

В России создали первый отечественный 350-нм фотолитограф

Его собрали совместно с белорусскими специалистами. Установка отличается от зарубежных аналогов уникальными технологическими решениям и у нее уже есть покупатель.

Мэр Москвы Сергей Собянин в своем официальном Telegram-канале сообщил, что в России создан первый полностью отечественный фотолитограф. Его разрешающая способность составляет 350 нм. Разработала оборудование для производства чипов российская компания-резидент ОЭЗ «Технополис Москва».

Как отметил Сергей Собянин, это первый и очень важный шаг на пути к производству собственной микроэлектроники, к полной технологической независимости государства. Отмечается, что фотолитограф был создан вместе в сотрудничестве с белорусским заводом, за плечами которого имеется огромный опыт в данной сфере.

Кроме того, в сообщении мэра Москвы говорится, что отечественная установка кардинально отличается от зарубежных аналогов. Например, для излучения используется не ртутная лампа, а твердотельный лазер. Он мощнее и энергоэффективнее, обладает более высокой долговечностью и у него более подходящий — узкий спектр светового излучения.

Немаловажным является и тот факт, что у фотолитографа уже имеется заказчик. На данный момент ведется адаптация техпроцессов в соответствии с производственными особенностями покупателя. Также отмечается, что на этом специалисты ОЭЗ «Технополис Москва» не намерены останавливаться. Следующая цель — освоение 130 нм к 2026 году.