PoX: la memoria desarrollada por China que escribe datos a una velocidad 10.000 veces superior a la actual

En un movimiento que puede dar la vuelta al tablero del hardware para Inteligencia Artificial, investigadores chinos han logrado lo que hasta ahora parecía una utopía tecnológica: crear una memoria no volátil que escribe datos a una velocidad 10.000 veces superior a lo que estamos acostumbrados hoy en día. Este nuevo tipo de memoria, bautizada como PoX, no solo guarda la información, aunque se apague el equipo, sino que lo hace a una velocidad que rivaliza con las memorias más rápidas del mercado, las SRAM. ¿Qué la hace tan diferente?

Y es que estamos ante un avance que, si se convierte en algo comercialmente viable, podría cambiar el panorama entero del diseño de chips. A diferencia de la memoria flash tradicional (más lenta, pero permanente) y la volátil como la DRAM (rápida, pero sin retención de información cuando no hay electricidad) este nuevo tipo combina lo mejor de ambos mundos, y con un consumo energético mínimo. La publicación de hoy revela más datos de los que vimos hace dos semanas y explica un poco más qué se puede esperar en el futuro.

Así es PoX, la memoria de nueva generación creada por China con una velocidad increíble

Lo que en los laboratorios parecía ciencia ficción, ahora tiene una cara, un nombre, y un futuro. China ha conseguido algo que parecía imposible para el ser humano gracias a usar la IA en su desarrollo, lo cual ha dado como resultado un cambio de tercio que une a la mente humana y a la máquina. La publicación en Nature revela que el equipo de investigación de la Universidad de Fudan, dirigido por Zhou Peng, tuvo que rediseñar varias áreas que hasta ahora se creían imposibles de lograr:

"Usando la optimización de procesos impulsada por IA, llevamos la memoria no volátil a su límite teórico. La hazaña allana el camino para la futura memoria flash de alta velocidad", dijo Zhou.

La clave está en un rediseño radical: los investigadores sustituyeron los clásicos canales de silicio por grafeno bidimensional, lo que permitió acelerar la conducción de la carga de forma nunca vista. Este truco físico, combinado con una técnica llamada “superinyección bidimensional”, permitió alcanzar esas velocidades de vértigo sin sacrificar la persistencia de los datos.

"Nuestro avance puede transformar la tecnología de almacenamiento, impulsar las actualizaciones industriales y abrir nuevos escenarios de aplicación", afirmó Zhou.

Esta nueva memoria puede ser aplicada en cualquier dispositivo electrónico

Lo interesante es que PoX no solo apunta a la Inteligencia Artificial. Su potencial también se extiende a dispositivos cotidianos como móviles o portátiles, que podrían encenderse al instante y consumir mucha menos energía. La idea de que toda la RAM de un equipo pueda ser permanente y ultrarrápida no es solo una fantasía futurista: podría estar a la vuelta de la esquina.

Según lo revelado, PoX, como memoria Flash no volátil, programa un bit en 400 picosegundos, lo cual supone unos 25.000 millones de operaciones por cada segundo. Aunque el equipo de investigación aún no ha dado detalles sobre la durabilidad del chip ni su viabilidad para producción en masa, el uso de grafeno y la compatibilidad con los procesos de fabricación actuales son una señal positiva.

Una vez que publiquen la durabilidad quedará saber si consiguen escalar el diseño para hacer memorias con estructuras de mayor tamaño y densidad, algo necesario para completar el círculo, puesto que ya tienen la velocidad, el no ser volátil y la eficiencia energética.

Si lo consiguen, China podría dominar el sector de la memoria a todos los niveles, puesto que esto sustituiría fácilmente a toda la memoria existente en todos los ámbitos posibles, y enterraría a gigantes como Samsung, SK Hynix o Micron, entre otros. ¿Podrán hacerlo a tiempo para llegar los primeros a escala en este desarrollo con PoX antes de que respondan sus grandes rivales?

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