Así es DRAM+, la memoria que combina lo mejor de la DRAM tradicional con la Flash: misma velocidad, menor latencia, más durabilidad

Un PC está compuesto por varios componentes que consiguen hacer que funcione a la perfección con cada una de estas piezas cumpliendo una tarea concreta. Por ejemplo, el disco duro o SSD se encarga del almacenamiento no volátil, la memoria RAM será volátil a cambio de ser muchísimo más rápida, el procesador se encargará de prácticamente todas las tareas y la GPU de aquellas que pueden aprovechar la aceleración usando esta. Al final vemos que cada uno de los componentes cumple un papel fundamental, pero todos funcionan por separado. Esto es distinto a DRAM+, pues aquí tendríamos una combinación de la memoria DRAM volátil y la capacidad de retener datos de la memoria Flash.

La memoria DRAM de nuestro PC hace referencia a los módulos de memoria RAM que estarán siendo usados en todo momento desde que enchufas el PC. La memoria RAM es totalmente necesaria para el funcionamiento correcto del PC y se va a utilizar una cantidad determinada de esta dependiendo del programa/juego que utilicemos y también de la capacidad total que tengamos. Si tenemos más memoria RAM al final vas a usar más, algo que ya hemos visto no solo en PC sino también en smartphones.

Ferroelectric Memory Co colabora con Neumonda para crear y comercializar memoria DRAM+ mejorada con óxido de hafnio

Al igual que la memoria DRAM es totalmente necesaria, también necesitaremos un sistema de almacenamiento en nuestro PC. Aunque antes los discos duros eran lo más habitual y prácticamente la única opción viable, desde hace años los SSD se han convertido en una mejor alternativa. Estos emplean memoria Flash para conseguir una velocidad mucho mayor junto a una latencia mínima. Aunque estos no alcanzan la velocidad de la memoria DRAM lo compensan con una capacidad mucho mayor y un precio menor.

Ferroelectric Memory Co. (FMC) y Neumonda han decidido aprovechar las ventajas de la memoria DRAM y la memoria Flash combinando ambas en lo que denominan como DRAM+. Para lograrlo usan una arquitectura de memoria ferroeléctrica (FeRAM) que reemplaza los condensadores por componentes ferroeléctricos de óxido de hafnio (HfO₂). Con esta tecnología híbrida logran conseguir un sistema de almacenamiento persistente con la velocidad de la memoria DRAM.

Esta memoria no tendrá las limitaciones de capacidad como las que usaban circonato de plomo y aseguran que es perfecta para tareas de IA

Según se indica, la memoria DRAM+ sería una notable mejora sobre la memoria tradicional que todos utilizamos beneficiándose de una mejor eficiencia, rendimiento y latencia mínima. Esta no es la primera vez que se intenta algo así, pues se han realizado proyectos similares por parte de Infineon y Qimonda, aunque estos fracasaron ante las memorias DRAM tradicionales. Según la FMC, en esta ocasión no ocurrirá eso debido que el óxido de hafnio resuelve las limitaciones de los otros proyectos que se centraban en usar memoria FeRAM con circonato de plomo (PZT) provocando que la memoria tuviese una capacidad mucho menor medida en megabytes.

La DRAM+ con hafnio puede alcanzar varios gigabytes de memoria con menos de 10 nm. Este tipo de memoria será realmente útil en aceleradores de IA que requieren "weight models" persistentes, ECU de automoción con arranque inmediato e implantes médicos. Ambas compañías tienen pensado comercializar esta tecnología híbrida, pero por ahora no se sabe la fecha de lanzamiento o el precio que podría tener.

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