Ya sabemos cuál es el proyecto de Pat Gelsinger después de salir de Intel: aceleradores de partículas para fabricar chips
Los equipos de fotolitografía que diseña y produce la compañía neerlandesa ASML son extraordinariamente complejos. Estas máquinas de fabricación de circuitos integrados tienen muchos componentes sofisticados, pero uno de los más avanzados es, sin lugar a dudas, la fuente de luz ultravioleta. Su propósito es generar la radiación de ultravioleta extremo (UVE) necesaria para transportar el patrón geométrico que contiene el diseño de los chips hasta la oblea de silicio. Muy a grandes rasgos esta fuente de luz genera la radiación UVE utilizando láseres de alta potencia capaces de calentar instantáneamente decenas de miles de diminutas gotas de estaño en un solo segundo hasta que alcanzan una temperatura de medio millón de grados Celsius. Esta interacción produce un plasma extremadamente caliente que emite luz ultravioleta con una longitud de onda de 13,5 nm. Parece una estrategia relativamente sencilla, pero no lo es en absoluto. De hecho, la fuente UVE es uno de los componentes disruptivos de ASML. Pat Gelsinger se ha sumado al equipo de xLight Curiosamente, para fabricar semiconductores de vanguardia empleando una tecnología de integración inferior a los 7 nm no es imprescindible utilizar una fuente de luz ultravioleta como la que acabo de describir. También se puede optar por otras aproximaciones. El prototipo de máquina de litografía UVE que, según las filtraciones, está probando Huawei en su laboratorio de Dongguan (China), emplea una fuente de luz ultravioleta de tipo LDP (descarga inducida por láser), y no de clase LPP (plasma generado por láser) como la que usa ASML. En Xataka China ha hecho lo que la industria global más temía: bloquear la exportación de las tierras raras más valiosas Otra opción requiere emplear un acelerador de partículas de tipo sincrotrón para generar la radiación ultravioleta. Este es el camino que está siguiendo la Academia China de Ciencias en la instalación que está poniendo a punto en Pekín (China). Su HEPS (High Energy Photon Source o Fuente de Fotones de Alta Energía) ha sido diseñado para entregar luz UVE de alta potencia simultáneamente a varias plantas de fabricación de circuitos integrados. No obstante, esto no es todo. Hay al menos otra opción que también está siendo explorada para generar la luz UVE. Su plan consiste en reemplazar la fuente de luz ultravioleta que utiliza ASML por un láser de electrones libres Precisamente es la estrategia por la que apuestan la empresa estadounidense xLight, a la que acaba de sumarse Pat Gelsinger, el exdirector general de Intel, como presidente ejecutivo y la Organización para la Investigación en Física de Altas Energías con Aceleradores de Tsukuba (Japón). Eso sí, cada una de estas organizaciones trabaja por su cuenta. Sea como sea su plan consiste en reemplazar la fuente de luz ultravioleta que utiliza ASML por un láser de electrones libres o FEL por su denominación en inglés (Free-Electron Laser) como los que se utilizan en los aceleradores de partículas. De hecho, en sus pruebas están utilizando un láser FEL generado por un acelerador lineal de recuperación de energía. En teoría la radiación entregada por un láser FEL permite fabricar circuitos integrados con una resolución equiparable a la de una fuente de luz ultravioleta. A priori suena bien, pero parece razonable aceptar que un láser FEL vinculado a un acelerador de partículas no es precisamente barato. La razón por la que algunos técnicos prefieren esta opción a la que emplea ASML consiste en que un solo acelerador lineal de recuperación de energía es capaz de alimentar simultáneamente varias máquinas de litografía. Además, según xLight su láser FEL está diseñado para alimentar la próxima generación de equipos de fotolitografía de ASML. De hecho, en teoría es cuatro veces más potente que la fuente de luz UVE empleada por esta empresa neerlandesa en sus máquinas más avanzadas. Según Gelsinger la tecnología de xLight permite reducir el precio por oblea un 50% y conseguirá alcanzar un rendimiento por oblea más alto que las soluciones actuales. Suena bien, pero tendremos que esperar hasta 2028 para saber si esta propuesta está realmente a la altura de las expectativas. Ese año xLight y ASML esperan probar su primer prototipo de láser FEL junto a un equipo de litografía. Imagen | xLight Más información | xLight En Xataka | TSMC reconoce que se ha planteado llevarse sus fábricas fuera de Taiwán. Es imposible por un buen motivo - La noticia Ya sabemos cuál es el proyecto de Pat Gelsinger después de salir de Intel: aceleradores de partículas para fabricar chips fue publicada originalmente en Xataka por Juan Carlos López .
Los equipos de fotolitografía que diseña y produce la compañía neerlandesa ASML son extraordinariamente complejos. Estas máquinas de fabricación de circuitos integrados tienen muchos componentes sofisticados, pero uno de los más avanzados es, sin lugar a dudas, la fuente de luz ultravioleta. Su propósito es generar la radiación de ultravioleta extremo (UVE) necesaria para transportar el patrón geométrico que contiene el diseño de los chips hasta la oblea de silicio.
Muy a grandes rasgos esta fuente de luz genera la radiación UVE utilizando láseres de alta potencia capaces de calentar instantáneamente decenas de miles de diminutas gotas de estaño en un solo segundo hasta que alcanzan una temperatura de medio millón de grados Celsius. Esta interacción produce un plasma extremadamente caliente que emite luz ultravioleta con una longitud de onda de 13,5 nm. Parece una estrategia relativamente sencilla, pero no lo es en absoluto. De hecho, la fuente UVE es uno de los componentes disruptivos de ASML.
Pat Gelsinger se ha sumado al equipo de xLight
Curiosamente, para fabricar semiconductores de vanguardia empleando una tecnología de integración inferior a los 7 nm no es imprescindible utilizar una fuente de luz ultravioleta como la que acabo de describir. También se puede optar por otras aproximaciones. El prototipo de máquina de litografía UVE que, según las filtraciones, está probando Huawei en su laboratorio de Dongguan (China), emplea una fuente de luz ultravioleta de tipo LDP (descarga inducida por láser), y no de clase LPP (plasma generado por láser) como la que usa ASML.
Otra opción requiere emplear un acelerador de partículas de tipo sincrotrón para generar la radiación ultravioleta. Este es el camino que está siguiendo la Academia China de Ciencias en la instalación que está poniendo a punto en Pekín (China). Su HEPS (High Energy Photon Source o Fuente de Fotones de Alta Energía) ha sido diseñado para entregar luz UVE de alta potencia simultáneamente a varias plantas de fabricación de circuitos integrados. No obstante, esto no es todo. Hay al menos otra opción que también está siendo explorada para generar la luz UVE.
Su plan consiste en reemplazar la fuente de luz ultravioleta que utiliza ASML por un láser de electrones libres
Precisamente es la estrategia por la que apuestan la empresa estadounidense xLight, a la que acaba de sumarse Pat Gelsinger, el exdirector general de Intel, como presidente ejecutivo y la Organización para la Investigación en Física de Altas Energías con Aceleradores de Tsukuba (Japón). Eso sí, cada una de estas organizaciones trabaja por su cuenta. Sea como sea su plan consiste en reemplazar la fuente de luz ultravioleta que utiliza ASML por un láser de electrones libres o FEL por su denominación en inglés (Free-Electron Laser) como los que se utilizan en los aceleradores de partículas.
De hecho, en sus pruebas están utilizando un láser FEL generado por un acelerador lineal de recuperación de energía. En teoría la radiación entregada por un láser FEL permite fabricar circuitos integrados con una resolución equiparable a la de una fuente de luz ultravioleta. A priori suena bien, pero parece razonable aceptar que un láser FEL vinculado a un acelerador de partículas no es precisamente barato. La razón por la que algunos técnicos prefieren esta opción a la que emplea ASML consiste en que un solo acelerador lineal de recuperación de energía es capaz de alimentar simultáneamente varias máquinas de litografía.
Además, según xLight su láser FEL está diseñado para alimentar la próxima generación de equipos de fotolitografía de ASML. De hecho, en teoría es cuatro veces más potente que la fuente de luz UVE empleada por esta empresa neerlandesa en sus máquinas más avanzadas. Según Gelsinger la tecnología de xLight permite reducir el precio por oblea un 50% y conseguirá alcanzar un rendimiento por oblea más alto que las soluciones actuales. Suena bien, pero tendremos que esperar hasta 2028 para saber si esta propuesta está realmente a la altura de las expectativas. Ese año xLight y ASML esperan probar su primer prototipo de láser FEL junto a un equipo de litografía.
Imagen | xLight
Más información | xLight
En Xataka | TSMC reconoce que se ha planteado llevarse sus fábricas fuera de Taiwán. Es imposible por un buen motivo
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Ya sabemos cuál es el proyecto de Pat Gelsinger después de salir de Intel: aceleradores de partículas para fabricar chips
fue publicada originalmente en
Xataka
por
Juan Carlos López
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