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El grafeno vuelve a marcar el camino con este increíble avance en almacenamiento
Lo que parecía imposible hace apenas unos años ya es una realidad tangible en un laboratorio de Shanghái. Investigadores de la Universidad Fudan han desarrollado un nuevo tipo de memoria flash basada en grafeno que promete ser una revolución completa en el sector. Esta tecnología, bautizada como PoX, es capaz de escribir datos en 400 picosegundos (0,4 nanosegundos), estableciendo un récord absoluto en el mundo del almacenamiento.Según TechSpot, este nuevo dispositivo supera en 100.000 veces la velocidad del anterior récord mundial para memorias no volátiles. Un avance que no solo destaca por sus impresionantes cifras, sino por cómo podría transformar desde nuestros móviles hasta los centros de datos que alimentan la inteligencia artificial.Un salto tecnológico sin precedentesPara entender la magnitud del hallazgo hay que ver las cifras. La memoria PoX puede realizar 25.000 millones de operaciones por segundo, cuenta con una durabilidad de 1 billón de ciclos de escritura (cuando un USB convencional apenas llega a 1.000) y consume 100 veces menos energía que las memorias DRAM que utilizamos actualmente.El equipo del profesor Zhou Peng ha conseguido este salto mediante tres innovaciones fundamentales: la sustitución del silicio por grafeno, el aprovechamiento del transporte balístico para mover electrones a velocidades nunca vistas y un sistema de "super-inyección" que elimina los cuellos de botella en el flujo de carga.No es la primera vez que vemos al grafeno romper barreras. En enero, científicos crearon el primer semiconductor funcional de grafeno, y también ha demostrado su capacidad para resolver complejos dilemas científicos. Este material bidimensional sigue demostrando que sus propiedades cuánticas únicas pueden llevarnos a terrenos tecnológicos que antes parecían ciencia ficción.Para que nos entendamos, vamos a poner un ejemplo sencillo: si las memorias actuales tardan un segundo en escribir cierta cantidad de información, esta nueva tecnología lo haría en menos de una diezmilésima de segundo. Es como comparar enviar un mensaje de texto con la velocidad de un rayo. Y todo esto consumiendo apenas una décima parte de la energía y sin perder los datos cuando apagas el dispositivo.Ya vimos al grafeno asomar en el mercado cuando Huawei lo incorporó en el sistema de refrigeración del Mate 20 X. Sin embargo, esta aplicación en memorias flash representa un paso mucho más ambicioso, que podría cambiar toda la arquitectura de nuestros dispositivos en los próximos años.Los investigadores estiman que la tecnología podría estar lista para su comercialización en un plazo de 5 a 7 años, aunque todavía quedan desafíos para escalar su producción a nivel industrial. La buena noticia es que utiliza materiales compatibles con los procesos de fabricación actuales, lo que facilitaría su integración en las cadenas de producción existentes.El artículo El grafeno vuelve a marcar el camino con este increíble avance en almacenamiento fue publicado originalmente en Andro4all.
Lo que parecía imposible hace apenas unos años ya es una realidad tangible en un laboratorio de Shanghái. Investigadores de la Universidad Fudan han desarrollado un nuevo tipo de memoria flash basada en grafeno que promete ser una revolución completa en el sector. Esta tecnología, bautizada como PoX, es capaz de escribir datos en 400 picosegundos (0,4 nanosegundos), estableciendo un récord absoluto en el mundo del almacenamiento.
Según TechSpot, este nuevo dispositivo supera en 100.000 veces la velocidad del anterior récord mundial para memorias no volátiles. Un avance que no solo destaca por sus impresionantes cifras, sino por cómo podría transformar desde nuestros móviles hasta los centros de datos que alimentan la inteligencia artificial.
Un salto tecnológico sin precedentes
Para entender la magnitud del hallazgo hay que ver las cifras. La memoria PoX puede realizar 25.000 millones de operaciones por segundo, cuenta con una durabilidad de 1 billón de ciclos de escritura (cuando un USB convencional apenas llega a 1.000) y consume 100 veces menos energía que las memorias DRAM que utilizamos actualmente.
El equipo del profesor Zhou Peng ha conseguido este salto mediante tres innovaciones fundamentales: la sustitución del silicio por grafeno, el aprovechamiento del transporte balístico para mover electrones a velocidades nunca vistas y un sistema de "super-inyección" que elimina los cuellos de botella en el flujo de carga.
No es la primera vez que vemos al grafeno romper barreras. En enero, científicos crearon el primer semiconductor funcional de grafeno, y también ha demostrado su capacidad para resolver complejos dilemas científicos. Este material bidimensional sigue demostrando que sus propiedades cuánticas únicas pueden llevarnos a terrenos tecnológicos que antes parecían ciencia ficción.
Para que nos entendamos, vamos a poner un ejemplo sencillo: si las memorias actuales tardan un segundo en escribir cierta cantidad de información, esta nueva tecnología lo haría en menos de una diezmilésima de segundo. Es como comparar enviar un mensaje de texto con la velocidad de un rayo. Y todo esto consumiendo apenas una décima parte de la energía y sin perder los datos cuando apagas el dispositivo.
Ya vimos al grafeno asomar en el mercado cuando Huawei lo incorporó en el sistema de refrigeración del Mate 20 X. Sin embargo, esta aplicación en memorias flash representa un paso mucho más ambicioso, que podría cambiar toda la arquitectura de nuestros dispositivos en los próximos años.
Los investigadores estiman que la tecnología podría estar lista para su comercialización en un plazo de 5 a 7 años, aunque todavía quedan desafíos para escalar su producción a nivel industrial. La buena noticia es que utiliza materiales compatibles con los procesos de fabricación actuales, lo que facilitaría su integración en las cadenas de producción existentes.
El artículo El grafeno vuelve a marcar el camino con este increíble avance en almacenamiento fue publicado originalmente en Andro4all.
